সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেটস

নিম্নলিখিত উচ্চ মানের ভূমিকাসিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেটস,ফ্র্যাকচার শক্ততা (IF পদ্ধতি): 6.5 MPa･√m

টর্বো®সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেটস

আইটেম:সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেট

উপাদান: Si3N4

রঙ: ধূসর

বেধ: 0.25-1 মিমি

সারফেস প্রসেসিং: ডাবল পালিশ

বাল্ক ঘনত্ব: 3.24g/㎤

পৃষ্ঠের রুক্ষতা Ra: 0.4μm

নমন শক্তি: (3-পয়েন্ট পদ্ধতি): 600-1000Mpa

স্থিতিস্থাপকতার মডুলাস: 310Gpa

ফ্র্যাকচার শক্ততা (IF পদ্ধতি): 6.5 MPa･√m

তাপ পরিবাহিতা: 25°C 15-85 W/(m･K)

অস্তরক ক্ষতি ফ্যাক্টর: 0.4

ভলিউম প্রতিরোধ ক্ষমতা: 25°C >1014 Ω･㎝

ব্রেকডাউন শক্তি:DC >15㎸/㎜

টর্বো®সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেটস ইলেকট্রনিক্স ক্ষেত্রে ব্যবহৃত হয় যেমন পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর মডিউল, ইনভার্টার এবং কনভার্টার, উৎপাদন আউটপুট বাড়াতে এবং আকার ও ওজন কমাতে অন্যান্য অন্তরক উপকরণ প্রতিস্থাপন করে। পাওয়ার কার্ডে ডাবল-পার্শ্বযুক্ত তাপ অপচয় (পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর), অটোমোবাইলের জন্য পাওয়ার কন্ট্রোল ইউনিট। তাদের অত্যন্ত উচ্চ শক্তি তাদের একটি মূল উপাদান করে তোলে যা তারা যে পণ্যগুলিতে ব্যবহৃত হয় তার জীবন এবং নির্ভরযোগ্যতা বাড়ায়।