মধ্যে প্রধান পার্থক্যসিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেটএবং সাবস্ট্রেট হল তাদের সংজ্ঞা, ব্যবহার এবং বৈশিষ্ট্য। বা
সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেট:সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেটএকটি সিরামিক উপাদান যা মূলত পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস, বিশেষ করে পাওয়ার মডিউল তৈরিতে ব্যবহৃত হয়। এটির উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ যান্ত্রিক শক্তি এবং ভাল তাপ মিল রয়েছে এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা এবং উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের প্রয়োজন হয় এমন প্রয়োগের পরিস্থিতিগুলির জন্য উপযুক্ত। সাবস্ট্রেট: সাবস্ট্রেট সাধারণত চিপ তৈরির জন্য ব্যবহৃত অন্তর্নিহিত সমর্থন কাঠামোকে বোঝায়। সাধারণ সাবস্ট্রেট উপকরণের মধ্যে রয়েছে একক ক্রিস্টাল সিলিকন ওয়েফার, SOI সাবস্ট্রেট, SiGe সাবস্ট্রেট ইত্যাদি। সাবস্ট্রেটের পছন্দ নির্দিষ্ট প্রয়োগের প্রয়োজনীয়তার উপর নির্ভর করে, যেমন ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট, মাইক্রোপ্রসেসর, মেমরি ইত্যাদি।
উচ্চ তাপ পরিবাহিতা: সিলিকন নাইট্রাইডের তাপ পরিবাহিতা 80 W/m·K বা তার বেশি, যা উচ্চ-শক্তি ডিভাইসের তাপ অপচয়ের প্রয়োজনের জন্য উপযুক্ত। ‘উচ্চ যান্ত্রিক শক্তি’: এটির উচ্চ নমন শক্তি এবং উচ্চ ফ্র্যাকচার শক্ততা রয়েছে, এটির উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে। থার্মাল এক্সপেনশন কোফিসিয়েন্ট ম্যাচিং : এটি SiC ক্রিস্টাল সাবস্ট্রেটের সাথে অত্যন্ত অনুরূপ, উভয়ের মধ্যে একটি স্থিতিশীল মিল নিশ্চিত করে এবং সামগ্রিক নির্ভরযোগ্যতা বাড়ায়।
সাবস্ট্রেট
বিভিন্ন প্রকার : একক ক্রিস্টাল সিলিকন ওয়েফার, SOI সাবস্ট্রেটস, SiGe সাবস্ট্রেটস, ইত্যাদি সহ, প্রতিটি সাবস্ট্রেট উপাদানের তার নির্দিষ্ট প্রয়োগ ক্ষেত্র এবং কর্মক্ষমতা সুবিধা রয়েছে ।
ব্যবহারের বিস্তৃত পরিসর : বিভিন্ন ধরনের চিপ এবং ডিভাইস তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়, যেমন ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট, মাইক্রোপ্রসেসর, মেমরি ইত্যাদি।
সিলিকন নাইট্রাইড সাবস্ট্রেট : প্রধানত নতুন শক্তির যান এবং আধুনিক পরিবহন ট্র্যাকের মতো ক্ষেত্রে উচ্চ-শক্তির ডিভাইসগুলির জন্য ব্যবহৃত হয়। এর চমৎকার তাপ অপচয় কর্মক্ষমতা, যান্ত্রিক শক্তি এবং স্থিতিশীলতার কারণে, এটি জটিল পরিবেশে উচ্চ নির্ভরযোগ্যতার প্রয়োজনীয়তার জন্য উপযুক্ত।
সাবস্ট্রেট : বিভিন্ন চিপ তৈরিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় এবং নির্দিষ্ট প্রয়োগ সাবস্ট্রেটের ধরনের উপর নির্ভর করে। উদাহরণস্বরূপ, একক ক্রিস্টাল সিলিকন ওয়েফারগুলি ব্যাপকভাবে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট এবং মাইক্রোপ্রসেসর তৈরিতে ব্যবহৃত হয়, SOI সাবস্ট্রেটগুলি উচ্চ-কর্মক্ষমতা, কম-পাওয়ার ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটগুলির জন্য উপযুক্ত এবং SiGe সাবস্ট্রেটগুলি হেটারোজংশন বাইপোলার ট্রানজিস্টর এবং মিশ্র সংকেত সার্কিট ইত্যাদির জন্য ব্যবহৃত হয়।